[发明专利]用于非易失性存储器的第一层间电介质堆叠有效
| 申请号： | 200880010706.9 | 申请日： | 2008-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101647105A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 奥卢邦米·O·阿德图图;克里斯托弗·B·胡恩德利;保罗·A·因格索尔;克雷格·T·斯维夫特 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆锦华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种用于形成具有基本上均匀厚度的保护吸除层(72)的第一层间电介质(ILD0)堆叠的方法和装置。在衬底(31)上形成器件组件(32、33)之后，在PEN ESL的蚀刻停止层(42)上方沉积SATEOS的空隙填充电介质层(52)，并且然后在后续的在平坦化的空隙填充电介质层(52)上沉积BPTEOS的吸除层(72)和覆盖电介质层(82)之前，进行平坦化。一旦形成ILD0堆叠，一个或多个接触开口(92、94、96)被蚀刻穿过该ILD0堆叠，由此在预期的接触区域上方暴露蚀刻停止层(42)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性存储器 一层 电介质 堆叠 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体结构上形成第一层间电介质的方法，包括：在所述半导体结构上形成多个器件组件；在所述多个器件组件上方形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上方形成电介质空隙填充层，以填充在所述多个器件组件之间的区域；将所述电介质空隙填充层平坦化下至基本上平坦的表面；在所述电介质空隙填充层的基本上平坦的表面上方形成电介质吸除层；以及选择性地蚀刻所述电介质吸除层和所述电介质空隙填充层，以在一个或多个所述器件组件中的一个或多个接触区域上方暴露所述蚀刻停止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
