[发明专利]在每一存储器元件周围使用包围式晶体管的具有栅格阵列的可变电阻存储器

摘要

本发明提供一种可变电阻存储器阵列、编程可变电阻存储器元件以及形成所述阵列的方法。可变电阻存储器阵列形成有围绕每一相变存储器元件(25)的多个字线晶体管。为了编程选定可变电阻存储器元件(25a)，将所有位线(21)接地或偏置于相同电压。选择与所述选定可变电阻存储器元件(25a)接触的顶部电极选择线(22a)。接通具有围绕所述选定可变电阻存储器元件的所述字线晶体管的字线(20a、20b)以向所述元件供应编程电流。电流从所述选定顶部电极选择线穿过所述可变电阻存储器元件流动到周围字线晶体管的共同源极/漏极区中，越过所述晶体管到达最近的位线触点(26)。字线是以各种栅格配置来图案化的。

主权项

1.一种存储器阵列，其包含：多个存储器元件；多个顶部电极选择线，其用于选择存储器元件；以及多个字线，其经布置以使得所述多个字线形成其中至少三个晶体管邻近于每一存储器元件的晶体管图案。