[发明专利]CVD成膜装置

摘要

本发明提供一种CVD成膜装置。该成膜装置通过加热机构加热被载置在载置台22的晶片W，同时使成膜用的气体在晶片的表面发生反应通过CVD在晶片W上形成规定的膜，该成膜装置具备具有母材24a和设置在母材的至少背面侧的低辐射率膜24b的覆盖部件24，该覆盖部件覆盖载置台22的晶片W的外侧部分。

主权项

1.一种CVD成膜装置，其在加热被处理基板的同时，使成膜用的气体在被处理基板的表面发生反应，并通过CVD在被处理基板上形成规定的膜，其特征在于，包括：能够保持真空的处理容器；在所述处理容器内载置被处理基板，且直径比被处理基板的直径大的载置台；设置在所述载置台，对被处理基板进行加热的加热机构；向所述处理容器内供给成膜用的气体的气体供给机构；对所述处理容器内进行真空排气的排气机构；和覆盖部件，其以覆盖所述载置台的被处理基板的外侧部分的方式设置，缓和由所述载置台对被处理基板的外侧的区域造成的热影响。