[发明专利]用于制造复合衬底的工艺有效
| 申请号： | 200880009428.5 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101641774A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 弗雷德里克·阿利伯特;塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造复合衬底的工艺，所述工艺包括：将第一衬底(10)接合到第二半导体衬底(30)上，其特征在于，所述工艺包括在接合之前，在所述第一衬底与所述第二衬底之间形成接合层(20)，所述接合层(20)包括按照确定图案分布在所述第一衬底(10)的表面上，并且由不同类型的区域(22)相互分开的多个岛状区(21)，所述区域(22)按照互补图案分布，其中所述岛状区(21)通过对所述第一衬底(10)的材料进行等离子体处理来形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 复合 衬底 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造复合衬底的工艺，所述工艺包括以下步骤：将第一衬底(10)接合到第二半导体衬底(30)上，其特征在于，所述工艺包括在接合之前，在所述第一衬底与所述第二衬底之间形成接合层(20)，所述接合层(20)包括按照确定图案分布在所述第一衬底(10)的表面上，并且由不同类型的区域(22)相互分开的多个岛状区(21)，所述区域(22)按照互补图案分布，其中，所述岛状区(21)通过对所述第一衬底(10)的材料进行等离子体处理来形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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