[发明专利]有源矩阵基板

摘要

本发明提供一种有源矩阵基板。在本发明的有源矩阵基板(100)中，令使以最短距离连接沟道区域(134)和吸杂区域(112)的线段投影在连接TFT(130)的沟道区域(134)和源极接触部的直线上的长度为d₁，令从沟道区域(134)至源极接触部(132c)的长度为d₂，令从沟道区域(134)至第一端部(110a)的长度为d₃，令第一端部(110a)的长度为L₁，令源极接触部(132c)的长度为A₁，则满足d₂＞d₁和d₂+A₁/2＞d₃+L₁/2。

主权项

1.一种有源矩阵基板，其包括：半导体层；薄膜晶体管元件，其包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管具有设置于所述半导体层的源极区域、沟道区域和漏极区域；栅极总线；漏极总线；和像素电极，该有源矩阵基板的特征在于：所述第一薄膜晶体管的源极区域包括源极接触部，所述半导体层具有与所述第一薄膜晶体管的源极区域相邻接的第一吸杂区域，所述半导体层包括第一端部、第二端部和位于所述第一端部与所述第二端部之间的中央部，所述第一端部具有比所述中央部大的宽度，在所述第一端部设置有包括所述源极接触部的所述第一薄膜晶体管的源极区域的一部分和所述第一吸杂区域，所述第一吸杂区域位于除了从所述源极接触部至所述第一薄膜晶体管的所述沟道区域的电荷的通路以外的所述第一端部的外周部分，令使以最短距离连接所述第一薄膜晶体管的沟道区域和所述第一吸杂区域的线段投影在连接所述第一薄膜晶体管的沟道区域和所述源极接触部的直线上的长度为d1，令所述半导体层的从所述第一薄膜晶体管的沟道区域至所述源极接触部的长度为d2，令所述半导体层的从所述第一薄膜晶体管的所述沟道区域至所述第一端部的长度为d3，令沿着连接所述第一薄膜晶体管的沟道区域和所述源极接触部的直线的所述第一端部的长度为L1，令沿着连接所述第一薄膜晶体管的沟道区域和所述源极接触部的直线的所述源极接触部的长度为A1，则满足d2＞d1≥d3和d2+A1/2＞d3+L1/2。