[发明专利]用于在静态随机存取存储器设备中集成非易失性存储器能力的装置和方法无效
| 申请号： | 200880008351.X | 申请日： | 2008-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101636791A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 马克·C·H·拉莫里 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种非易失性静态随机存取存储器(SRAM)设备200，包括：一对交叉耦合的互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器I1、I2，其被配置为用于数据位的存储单元；以及一对磁性自旋转移设备202a、202b，其耦合到所述存储单元的相对侧。所述磁性自旋转移设备202a、202b被配置为在移除SRAM设备200的电源后在其中保持存储单元数据，并且还被配置为在对所述SRAM设备200施加电源时利用所保持的数据初始化存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 静态 随机存取存储器 设备 集成 非易失性存储器 能力 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性静态随机存取存储器(SRAM)设备，包括：一对交叉耦合的互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器，其被配置为用于数据位的存储单元；以及一对磁性自旋转移设备，其耦合到所述存储单元的相对侧；其中，所述磁性自旋转移设备被配置为在移除SRAM设备的电源后在其中保存存储单元数据，并且还被配置为在对所述SRAM设备施加电源时利用所保存的数据初始化该存储单元。
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