[发明专利]用于测量等离子体刻蚀工艺的工艺参数的方法和装置无效
| 申请号： | 200880007160.1 | 申请日： | 2008-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN101675495A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | S·丹尼尔斯;S·格林;F·索伯罗恩;M·迪帕卡 | 申请（专利权）人： | 雷克萨斯研究有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 爱尔兰;IE |
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| 摘要： | 本发明提供了用于测量等离子体刻蚀工艺的工艺参数的方法和装置。一种用于检测在半导体晶片上进行的等离子体刻蚀工艺的至少一个工艺参数的方法。该方法包括以下步骤：检测在刻蚀工艺期间由等离子体产生的光；过滤所检测的光以提取调制光；以及处理所检测的调制光以确定刻蚀工艺的至少一个工艺参数。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 等离子体 刻蚀 工艺 参数 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于检测在半导体晶片上进行的等离子体刻蚀工艺的至少一个工艺参数的方法，所述方法包括以下步骤：检测在所述刻蚀工艺期间由等离子体产生的光；过滤所检测的光以提取调制光；以及处理所检测的调制光以确定所述刻蚀工艺的至少一个工艺参数。
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