[发明专利]异质晶体半导体器件及其制作方法无效
| 申请号： | 200880006770.X | 申请日： | 2008-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101622691A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | N·科巴亚施;S·-Y·王 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;B82B3/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;李家麟 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 异质晶体半导体器件100及其制作方法200包括非单晶半导体层110、140和纳米结构层120，纳米结构层120包括与非单晶半导体层110、140的微晶体112成为一体的单晶半导体纳米结构122、124。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种异质晶体半导体器件100，包括：具有第一能带间隙的第一非单晶半导体材料的第一层110；具有第二能带间隙的第二非单晶半导体材料的第二层140；纳米结构层120，其包括具有第三能带间隙的单晶半导体材料的纳米结构122、124，该纳米结构层120的纳米结构122、124与所述第一层110和所述第二层140之一中的微晶体112成为一体，其中所述纳米结构层120位于所述第一层110和所述第二层140之间；以及到所述第一层110和所述第二层140的分离电接触160a、160b，所述纳米结构122、124可通过所述分离电接触160a、160b电访问。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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