[发明专利]形成具有量子阱沟道的非平面晶体管有效
| 申请号： | 200880006179.4 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101681924A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | C·O·徐;P·马吉;W·蔡;J·卡瓦列罗斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛;王 英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施例中，本发明包括一种设备，所述设备具有：衬底；形成于所述衬底上的掩埋氧化物层；形成于所述掩埋氧化物层上的绝缘体上硅(SOI)内核；包覆在SOI内核周围的压缩应变量子阱(QW)层；以及包覆在QW层周围的拉伸应变硅层。还描述其他实施例并主张其权利。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 量子 沟道 平面 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种设备，其包括：衬底；形成于所述衬底上的掩埋氧化物层；形成于所述掩埋氧化物层上的绝缘体上硅(SOI)内核，所述SOI内核由所述掩埋氧化物层上的硅鳍形成；以及包覆在所述SOI内核周围的量子阱(QW)层，其中所述QW层是发生压缩应变的。
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