[发明专利]非可逆电路元件及其中心导体组装体有效

专利信息
申请号: 200880002732.7 申请日: 2008-01-29
公开(公告)号: CN101584079A 公开(公告)日: 2009-11-18
发明(设计)人: 岸本靖;松野大士;仓元建二 申请(专利权)人: 日立金属株式会社
主分类号: H01P1/365 分类号: H01P1/365;H01P1/36
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种非可逆电路元件用的中心导体组装体,构成第一电感元件的至少一个第一中心导体、及构成第二电感元件的第二中心导体,一体形成于由多个磁性体层构成的层叠体,所述第一中心导体通过借助过孔将形成在所述层叠体的第一主面的第一及第二线路、和形成在所述层叠体的内部的第三线路串联连接而成,所述第二中心导体按照在所述第一及第二线路之间与所述第三线路隔着磁性体层交叉的方式,形成在所述层叠体的第一主面。
搜索关键词: 可逆 电路 元件 及其 中心 导体 组装
【主权项】:
1、一种中心导体组装体,被用于非可逆电路元件中,该非可逆电路元件具备:构成第一输入输出端口与第二输入输出端口之间的第一并联谐振电路的第一电感元件及第一电容元件、和构成第二输入输出端口与地之间的第二并联谐振电路的第二电感元件及第二电容元件,其特征在于,具备所述第一及第二电感元件,构成所述第一电感元件的至少一个第一中心导体、及构成所述第二电感元件的第二中心导体,一体形成于由多个磁性体层构成的层叠体,所述第一中心导体借助过孔将形成在所述层叠体的第一主面上的第一及第二线路、和形成在所述层叠体内部的第三线路串联连接而构成,所述第二中心导体按照在所述第一及第二线路之间与所述第三线路隔着磁性体层交叉的方式,形成在所述层叠体的第一主面。
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