[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200880001924.6 | 申请日： | 2008-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN101641763A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | M·N·达维希 | 申请（专利权）人： | 威力半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王 勇;姜 华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括具有第一导电类型的半导体层和形成在具有第一导电类型的半导体层上的具有第二导电类型的半导体层。该半导体器件还包括延伸第一预设距离进入具有第二导电类型的半导体层的体层以及延伸第二预设距离进入具有第二导电类型的半导体层的一对沟槽。每一个上述沟槽对实质包括设置其中的电介质材料并且存在于具有第二导电类型的半导体层中的掺杂物和该沟槽对之间的距离限定该半导体器件的电特性。该半导体器件还包括耦联至具有第二导电类型的半导体层的控制栅极以及耦联至具有第二导电类型的半导体层的源极区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：具有第一导电类型的半导体层；在具有所述第一导电类型的所述半导体层上形成的具有第二导电类型的半导体层，其中具有所述第二导电类型的所述半导体层具有第一厚度特征；延伸第一预设距离进入具有所述第二导电类型的所述半导体层的体层；延伸第二预设距离进入具有所述第二导电类型的所述半导体层的一对沟槽，其中所述沟槽对的每一个沟槽都具有宽度特征并且实质上包括设置在其中的介电材料，其中在具有所述第二导电类型的所述半导体层中存在的掺杂杂质的浓度以及所述沟槽对之间的距离限定了与所述沟槽对的每一个沟槽的宽度无关的所述半导体器件的电特性；耦联至具有所述第二导电类型的所述半导体层的控制栅极；以及耦联至具有所述第二导电类型的所述半导体层的源极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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