[实用新型]大功率发光二极管无效

专利信息
申请号: 200820204450.2 申请日: 2008-12-02
公开(公告)号: CN201318574Y 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 徐朝丰 申请(专利权)人: 东莞市邦臣光电有限公司
主分类号: F21S2/00 分类号: F21S2/00;F21V19/00;F21V5/04;F21V29/00;H01L33/00;H01R43/02;F21V9/10;F21Y101/02
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 代理人: 张艳美;郝传鑫
地址: 523118广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种大功率发光二极管,包括导热支架、硅胶树脂光学透镜及至少一个二极管发光芯片,导热支架的顶端具有凹腔,发光二极管芯片安装于凹腔底部,硅胶树脂光学透镜成型于导热支架上且对凹腔进行密封,导热支架容置有正、负极引线,发光二极管芯片具有正、负极焊接点,正、负极引线对应的与发光二极管芯片的正、负极焊接点焊接,其中,发光二极管芯片与凹腔底部之间涂有锡膏层,锡膏层将发光二极管芯片熔接在凹腔底部上。本实用新型在发光二极管芯片与导热支架之间增加锡膏层,使发光二极管芯片的热量及时传导到外界,结温低到75℃~95℃的低温,可使发光效率可达到100流明每瓦特以上、光通量可达到100流明以上,延长了发光二极管的寿命。
搜索关键词: 大功率 发光二极管
【主权项】:
1、一种大功率发光二极管,包括导热支架、硅胶树脂光学透镜及至少一个发光二极管芯片,所述导热支架的顶端具有凹腔,所述发光二极管芯片安装于所述凹腔底部,所述硅胶树脂光学透镜成型于所述导热支架上且对所述凹腔进行密封,所述导热支架容置有正、负极引线,所述发光二极管芯片具有正、负极焊接点,所述正、负极引线对应的与所述发光二极管芯片的正、负极焊接点焊接,其特征在于:所述发光二极管芯片与凹腔底部之间涂有锡膏层,所述锡膏层将所述发光二极管芯片熔接在凹腔底部上。
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