[实用新型]发光二极管照明组件无效
| 申请号: | 200820136608.7 | 申请日: | 2008-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN201281244Y | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
| 发明(设计)人: | 周宏勋;廖宏达 | 申请(专利权)人: | 艾笛森光电股份有限公司 |
| 主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V19/00;F21V9/10;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁 挥;张燕华 |
| 地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种发光二极管照明组件,包含一开设至少一容置槽的基座、至少一第一发光二极管(Light Emitting Diode;LED)芯片与至少一调光次组件。容置槽中具有至少一第一配置区域与至少一以一凹陷深度自第一配置区域向下凹陷的第二配置区域。第一LED芯片设置在第一配置区域,并用以投射出至少一第一光束。调光次组件包含一第二LED芯片与一透光层。第二LED芯片设置在第二配置区域,并用以投射出一第二光束。透光层含有荧光粉,并且覆盖第二LED芯片。第二光束在穿透该透光层后被激发,并在被激发后与第一光束混合成一照明光束。 | ||
| 搜索关键词: | 发光二极管 照明 组件 | ||
【主权项】:
1、一种发光二极管照明组件,其特征在于,包含:一基座,开设至少一容置槽,并且包含:至少一第一配置区域,位于该容置槽内;以及至少一第二配置区域,位于该容置槽内,邻接于该第一配置区域,并以一凹陷深度自该第一配置区域向下凹陷;至少一第一发光二极管芯片,设置在该第一配置区域,并用以投射出至少一第一光束;以及至少一调光次组件,包含:一第二LED芯片,设置在该第二配置区域,并用以投射出一第二光束;以及一透光层,含有荧光粉,并且覆盖该第二LED芯片;其中,该第二光束在穿透该透光层后被激发,并在被激发后与该第一光束混合成一照明光束。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾笛森光电股份有限公司,未经艾笛森光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200820136608.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种带有负离子产生装置的LED台灯
- 下一篇:拉绳发电充电手电筒





