[实用新型]用于制备多晶硅的还原炉无效
| 申请号： | 200820123351.1 | 申请日： | 2008-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN201313954Y | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 刘逸枫;崔树玉;陈其国;钟真武;蒋文武;王燕 | 申请（专利权）人： | 江苏中能硅业科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/06;C01B33/03 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范晓斌;王 刚 |
| 地址： | 221004江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于制备多晶硅的还原炉，其包括外层壳体、内层壳体、底盘、硅芯棒，冷却水循环装置，设置在底盘上的进气口、排气口，其特征在于在所述还原炉的上部设置进气口，进气、排气口既可独立分设在底盘和/或顶部，也可以同心双层套管的方式组合。通过此装置可改善进料气的湍流流动，减小、消除边界层效应，减少结构夹层的形成，使还原生成的多晶硅以致密、均匀的形态沉积，提高多晶硅的生长质量，同时还可减少原料消耗，提高原料的转化率，增加产率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 多晶 还原 | ||
【主权项】：
1. 一种用于制备多晶硅的还原炉，其包括外层壳体、内层壳体、位于所述还原炉底部的底盘、硅芯、冷却水循环装置、设置在底盘处的下部进气口和下部排气口，其特征在于，在所述还原炉的上部设置有至少一个上部进气口。
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