[实用新型]一种降低单晶硅炉能耗的装置在审
| 申请号： | 200820109321.5 | 申请日： | 2008-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN201217710Y | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 朱仁德;刘旭峰 | 申请（专利权）人： | 北京天能运通晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 闫立德 |
| 地址： | 100034北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型属于一种降低单晶硅炉能耗的装置，采用在石英坩埚上端的炉膛内设有由导流内筒和导流外筒所组成的导流筒，在炉膛内保温层上端设有下保温盖，导流筒上端边与下保温盖内周边连成一体，下保温盖上端间隔距离设有上保温盖，上下保温盖之间的空间设有保温材料层，石墨电极周边与炉底护盘和石墨埚杆周边之间设有保温板。本实用新型能有效提高单晶硅炉的保温性能，可大幅度降低单晶硅炉的能耗，有提高硅晶质量，降低制作成本的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 单晶硅 能耗 装置 | ||
【主权项】：
1、一种降低单晶硅炉能耗的装置，主要由炉体、炉膛、导流内筒、石英坩埚和石墨埚所组成，其特征在于：在石英坩埚上端的炉膛内设有由导流内筒和导流外筒所组成的导流筒，在炉膛内保温层上端设有下保温盖，导流筒上端边与下保温盖内周边连成一体，下保温盖上端间隔距离设有上保温盖，上下保温盖之间的空间设有保温材料层，石墨电极周边与炉底护盘和石墨埚杆周边之间设有保温板。
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