[实用新型]一种新型的锑/氧化锑pH测量电极无效
| 申请号： | 200820085700.5 | 申请日： | 2008-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN201247218Y | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 叶璟 | 申请（专利权）人： | 叶璟 |
| 主分类号： | G01N27/333 | 分类号： | G01N27/333 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 | 代理人： | 刘晓春 |
| 地址： | 310012浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种制作简单、成本低的新型的锑/氧化锑pH测量电极。它包括制作在基板上的锑/氧化锑氢离子选择电极和与之配套的参比电极，所述锑/氧化锑氢离子选择电极包括厚膜印刷而成碳浆层，碳浆层表面电镀有氧化锑层。本实用新型可以通过厚膜印刷和电镀相结合的工艺制作锑/氧化锑pH测量电极，能大大降低金属材料的消耗，并且，可以在各种不同的基底材料上，如陶瓷、高分子材料等制作pH测量电极，以满足不同使用场合的需要。另外，采用厚膜印刷工艺，可以方便的制备各种不同形状和大小的电极，实现批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 氧化 ph 测量 电极 | ||
【主权项】：
1、一种新型的锑/氧化锑pH测量电极，其特征在于它包括制作在基板上的锑/氧化锑氢离子选择电极和与之配套的参比电极，所述锑/氧化锑氢离子选择电极包括厚膜印刷而成碳浆层，碳浆层表面电镀有氧化锑层。
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