[实用新型]半导体刻蚀设备的上部电极无效
| 申请号： | 200820060507.6 | 申请日： | 2008-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN201215800Y | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 刘东升 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/00;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/24 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 200000上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体刻蚀设备的上部电极，内部具有多个通气孔，通气孔均匀分布在以上部电极中心为圆心的多个圆周上，在上部电极的一个直径上，通气孔随着与上部电极中心距离的增大，其孔径增大和或与相邻通气孔间距减小。本实用新型通过改变通气孔的结构和位置，使工艺气体进入工艺腔更加均匀，形成等密度均匀的等离子体，达到改善刻蚀均一性，使上部电极消耗量均匀，延长使用寿命的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 刻蚀 设备 上部 电极 | ||
【主权项】：
1、一种半导体刻蚀设备的上部电极，内部具有多个通气孔，所述的通气孔均匀分布在以所述上部电极中心为圆心的多个圆周上，其特征在于，在所述上部电极的一个直径上，所述通气孔随着与所述上部电极中心距离的增大，其半径增大或与相邻通气孔间距减小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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