[实用新型]硅电池片的背电极结构无效
| 申请号： | 200820059463.5 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN201222502Y | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 冯麒 | 申请（专利权）人： | 上海太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 201108上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅电池片的背电极结构，通过丝网印刷把银浆印刷在硅电池片的背面形成，该背电极结构包括六条印刷在硅电池片背面的银条，每三条沿长度方向间隔排成一列，两列相间对称分布在硅电池片的背面。本实用新型硅电池片的背电极结构具有释放应力，降低接触电阻的优点，而且也降低了浆料的使用量。 | ||
| 搜索关键词： | 电池 电极 结构 | ||
【主权项】：
1、一种硅电池片的背电极结构，通过丝网印刷把银浆印刷在硅电池片的背面形成，其特征在于：该背电极结构包括六条印刷在硅电池片背面的银条，每三条沿长度方向间隔排成一列，两列相间对称分布在硅电池片的背面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
