[实用新型]磁控溅射与多弧离子镀复合式真空镀膜机无效

专利信息
申请号: 200820013189.8 申请日: 2008-05-28
公开(公告)号: CN201217685Y 公开(公告)日: 2009-04-08
发明(设计)人: 戴今古;张世伟;徐成海;张志军 申请(专利权)人: 玉环县金源比特科技发展有限公司
主分类号: C23C14/22 分类号: C23C14/22;C23C14/35;C23C14/24;C23C14/14
代理公司: 沈阳东大专利代理有限公司 代理人: 梁 焱
地址: 317605浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种磁控溅射与多弧离子镀复合式真空镀膜机,包括真空镀膜室、真空系统、电源系统、气动系统、供气系统、冷却系统、驱动系统、控制与测试系统和警报系统,其特征在于真空室体内顶部装有工件架行星传动转盘,转盘下接悬挂式工件架,真空室体上部的工件架驱动机构使工件架在公转的同时还自转;其真空室体壁上安装磁控溅射镍靶和电弧镀铬靶两种靶,本实用新型能够实现被镀工件一次装炉完成镀制镍、铬两种膜层。
搜索关键词: 磁控溅射 离子镀 复合 真空镀膜
【主权项】:
1.一种磁控溅射与多弧离子镀复合式真空镀膜机,包括真空镀膜室、真空系统、电源系统、气动系统、供气系统、冷却系统、驱动系统、控制与测试系统和警报系统,其特征在于真空室体内顶部装有工件架行星传动转盘,转盘下接悬挂式工件架,其真空室体壁上安装磁控溅射镍靶和电弧镀铬靶两种靶。
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