[实用新型]单晶永磁场有效
| 申请号： | 200820010573.2 | 申请日： | 2008-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN201165565Y | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张承臣;李恒盛;吴文奎;李文忠 | 申请（专利权）人： | 抚顺隆基磁电设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B30/04 | 分类号： | C30B30/04 |
| 代理公司： | 抚顺宏达专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李壮男 |
| 地址： | 113122辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于与单晶炉配套的永磁场。该单晶永磁场由分别固定在轭板上的两个磁系构成，两轭板经导磁板连接在一起；轭板固定在立柱上，安装在单晶炉两侧，使磁系中心与炉体结晶位置平齐，两磁系相对，与轭板、导磁板形成半围形状。本实用新型可以取代单晶电磁场，磁场强度固定为1200Gs，可以保证多晶硅在结晶为单晶时的工艺参数，可以用在炉主室直径在800mm及800mm以上的单晶炉上。与电磁场相比，节省能源，工作过程中不耗能，免维护，工作过程中无故障，没有噪音污染。 | ||
| 搜索关键词： | 永磁 | ||
【主权项】：
1、一种单晶永磁场，其特征是：它由分别固定在轭板(3)上的两个磁系(4)构成，两轭板(3)经导磁板(1)连接在一起；轭板(3)固定在立柱(2)上，安装在单晶炉两侧，使磁系(4)中心与炉体结晶位置平齐，两磁系(4)相对，与轭板(3)、导磁板(1)形成半围形状。
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