[发明专利]一种发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 200810246994.X | 申请日： | 2008-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101771110A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 刘娉娉;武胜利;柯志杰;肖志国;陈向东 | 申请（专利权）人： | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其制作方法，该发光二极管的结构从下至上依次包括衬底、n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层、欧姆接触层、钝化层和p、n电极，其特征是衬底和欧姆接触层的上表面均具有多个凸半球形、半椭球形或者其他不规则的形状凸起结构。本发明的技术方法是利用旋转涂覆的方法在衬底和欧姆接触层上分别形成一层掩膜，然后经刻蚀掩膜分别在衬底和欧姆接触层上形成具有多个凸半球形、半椭球形或者其他不规则的形状凸起结构的粗糙上表面。通过这两层达到微米级甚至纳米级粗糙的表面，可以提高发光二极管光提取效率，在大大提高发光亮度同时降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其结构从下至上依次包括衬底、n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层、欧姆接触层、钝化层和p、n电极，其特征在于所述的衬底的上表面具有一个或一个以上相连或者不相连的凸起结构；所述的欧姆接触层的上表面具有一个或一个以上相连或者不相连的凸起结构；其中，所述的凸起结构为凸半球形，所述的凸半球形的直径大小为0.1～5μm。
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