[发明专利]一种制备附着在触摸屏上绝缘膜的方法有效
| 申请号： | 200810244741.9 | 申请日： | 2008-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN101748371A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈奇;沈励;许沭华;石富银;迟晓晖 | 申请（专利权）人： | 芜湖长信科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 徐晖 |
| 地址： | 241009 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备附着在触摸屏上绝缘膜的方法，使用磁控反应溅射的方法在触摸屏基材表面上通过Ni和O2在真空状态下发生化学反应沉积一层NiO膜；制备方法包括：真空度为3～5x10-3Torr，加热基材至70～80℃，磁控反应溅射沉积NiO膜，与现有技术相比，使用该方法在触摸屏基材表面沉积纳米级厚度的NiO膜，膜层均匀、致密、附着力好，使得绝缘膜具有良好绝缘性、防静电、抗电击性能，该膜层具有很好的结合力和很高的透过率，适合手机LCD液晶保护屏和家电产品触摸屏绝缘膜的工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 附着 触摸屏 绝缘 方法 | ||
【主权项】：
一种制备附着在触摸屏上绝缘膜的方法，其特征在于：在真空室真空度为3～5x10-3Torr条件下，加热基材至70～80℃，采用磁控反应溅射法使置于真空室内的Ni和O2生成NiO，并在基材表面沉积成NiO膜层。
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