[发明专利]一种制备ZnO纳米线场效应晶体管的方法无效
| 申请号： | 200810240079.X | 申请日： | 2008-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101752250A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 黎明;徐静波;付晓君 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/336;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备ZnO纳米线场效应晶体管的方法，该方法采用传输线法制备出按一定倍数规律排列的电极测试图形，在该电极测试图形上蒸发金属Ti/Au形成监测图形，在器件制备过程中利用该监测图形对纳米线与源漏电极金属所形成的欧姆接触性能进行监测，在欧姆接触性能符合要求时继续进行源漏和背栅电极的制备，完成ZnO纳米线场效应晶体管的制备。本发明采用新颖的欧姆接触监测图形对纳米线和Ti电极之间的欧姆接触情况进行监测，确保了Ti/Au源漏电极与ZnO沟道之间形成良好的欧姆接触，为纳米线场效应晶体管的制备奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 zno 纳米 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种制备ZnO纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法采用传输线法制备出按一定倍数规律排列的电极测试图形，在该电极测试图形上蒸发金属Ti/Au形成监测图形，在器件制备过程中利用该监测图形对纳米线与源漏电极金属所形成的欧姆接触性能进行监测，在欧姆接触性能符合要求时继续进行源漏和背栅电极的制备，完成ZnO纳米线场效应晶体管的制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810240079.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
