[发明专利]光学电压互感器无效

专利信息
申请号: 200810238946.6 申请日: 2008-12-05
公开(公告)号: CN101424708A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 李立京;李霞;张朝阳;李勤;冯秀娟 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G01R15/24 分类号: G01R15/24;G01R29/12
代理公司: 北京永创新实专利事务所 代理人: 周长琪
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种光学电压互感器,由光源、耦合器、起偏器、相位调制器、保偏延迟光缆、准直透镜、法拉第旋转镜、电光传感单元、光电探测器和信号处理模块构成,电光传感单元由锗酸铋晶体、A电极、B电极组成,A电极、B电极分别安装在锗酸铋晶体的上、下面板上。本发明通过电光传感单元中的传感锗酸铋晶体中由于电场引起锗酸铋晶体折射率的变化,当两束正交线偏振光经过锗酸铋晶体时,由于Pockels效应,两束线偏振光的相位差发生变化。通过测量相干的两束光,就可以间接地测量出电场的大小。
搜索关键词: 光学 电压互感器
【主权项】:
1、一种光学电压互感器,包括有光源、耦合器、起偏器、相位调制器、保偏延迟光缆、信号处理模块,其特征在于:还包括有准直透镜、法拉第旋转镜、电光传感单元,法拉第旋转镜的两面分别粘结在准直透镜和电光传感单元(1)的A面(101);所述电光传感单元(1)由锗酸铋晶体(11)、A电极(12)、B电极(13)组成,A电极(12)、B电极(13)分别安装在锗酸铋晶体(11)的上、下面板上;锗酸铋晶体(11)为长方体,A面(101)为光的入射面,与A面(101)相对的B面(102)上镀有反射膜;所述保偏延迟光缆的长度为200m以上;所述相位调制器中光的相位差为l表示电光传感单元的长度,d表示锗酸铋晶体的高度,no表示锗酸铋晶体的折射率,γ41表示锗酸铋晶体的电光系数,U表示待测电压。
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