[发明专利]一种高纯镓的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810234959.6 申请日: 2008-11-05
公开(公告)号: CN101386923A 公开(公告)日: 2009-03-18
发明(设计)人: 方锋;蒋建清;王东静;范家骅;刘文兵 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: C22B58/00 分类号: C22B58/00
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 陆志斌
地址: 21009*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 高纯镓的制备方法:用去离子水清洗有机容器后,烘干;将2Kg~25Kg的镓原料加热熔融,将熔融的液态镓加入容器内;环境温度控制在20℃-25℃,将容器置于15℃~25℃的循环水浴中,镓液的液面低于水浴液面,且将循环水的流速控制在1.0L/min~3.0L/min;将5g~10g、纯度≥7N的镓涂于圆柱形杆的一端,制成籽晶;将圆柱形杆的另一端与天平称重端连接;将圆柱形杆上涂有籽晶的部分置于镓液后,用镓凝固时发生的体积膨胀,获得凝固Ga的凝固质量和凝固质量分数;当凝固质量分数达到60%~90%时,取出固体镓,将液体倒出进行固液分离;获得的固体Ga,并以此作为镓原料;重复步骤1~6两至七次。
搜索关键词: 一种 高纯 制备 方法
【主权项】:
1. 一种高纯镓的制备方法,包括以下步骤:步骤1:直径为10cm~20cm圆柱形有机容器,用电子级去离子水清洗后,烘干;步骤2:称取固态镓原料的质量,将2Kg~25Kg的镓原料加热熔融,温度为30℃~40℃,将熔融的液态镓加入圆柱形有机容器内;步骤3:环境温度控制在20℃-25℃,将圆柱形有机容器置于15℃~25℃的循环水浴中,镓液的液面高度低于水浴液面高度,且将循环水的流速控制在1.0L/min~3.0L/min;步骤4:将5g~10g、纯度≥7N的镓均匀涂敷于圆柱形杆的一端,制成籽晶;将圆柱形杆的另一端与天平的称重端连接;步骤5:将圆柱形杆上涂有籽晶的部分置于镓液中心后,利用镓凝固时发生的体积膨胀,精确获得凝固Ga的凝固质量和凝固质量分数;步骤6:当凝固质量分数达到60%~90%时,取出固体镓,将液体倒出进行固液分离;获得的固体Ga,并以此作为镓原料;步骤7:重复步骤(1)~(6)两至七次,可得到6N~8N的高纯镓。
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