[发明专利]一种高强度、高导电纯铜材料的制备方法无效
申请号: | 200810233543.2 | 申请日: | 2008-11-07 |
公开(公告)号: | CN101392359A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 朱心昆;陶静梅;李才巨;徐孟春;尚青亮;杨鹏 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | C22F1/08 | 分类号: | C22F1/08;B23P17/00 |
代理公司: | 昆明正原专利代理有限责任公司 | 代理人: | 徐玲菊 |
地址: | 650093云南*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明提供一种高强度、高导电纯铜材料的制备方法,将铜材在300~700℃温度下进行0.5~5小时的再结晶退火;在变形温度低于-100℃,应变速率为10-5/s~102/s条件下锻造铜材,使其在低温下发生塑性变形,采用拉拔工艺,继续使纯铜在低温下发生塑性变形,制备出具有纳米孪晶结构的纯铜材料,在具有较高强度的同时,具有较好的导电性能,克服了现有技术在提高铜材强度的同时,降低其导电性能的不足。本发明获得的铜材强度高于450MPa,同时电导率不低于90%IACS。 | ||
搜索关键词: | 一种 强度 导电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种高强度、高导电纯铜材料的制备方法,其特征在于经过下列工艺步骤:A、将铜材在300~700℃温度下进行0.5~5小时的退火,使其再结晶;B、将上述再结晶的铜材置于液氮中浸泡至铜材自身温度达到液氮温度后,将其取出;C、在变形温度低于-100℃,应变速率为10-4/s~102/s条件下,锻造铜材,使其发生塑性变形至总的真应变达到-1~-4;D、将铜材置于液氮中进行冷却,在变形温度低于-100℃,应变速率为10-5/s~102/s条件下,拉拔铜材,使其发生塑性变形至总的真应变达到-3~-8,即得具有纳米孪晶结构的纯铜材料。
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