[发明专利]一种超大容量变压器的漏磁屏蔽方法无效

专利信息
申请号: 200810230391.0 申请日: 2008-12-30
公开(公告)号: CN101770854A 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 高兴耀;钟俊涛;孙树波;方明 申请(专利权)人: 特变电工沈阳变压器集团有限公司
主分类号: H01F27/36 分类号: H01F27/36
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 许宗富
地址: 110025 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种超大容量变压器的漏磁屏蔽方法,应用于单相五柱铁心、三柱套线圈结构的变压器中,包括以下步骤:在I柱与II柱间及II柱与III柱间对应线圈上、下端部的箱壁上横向布置第1磁屏蔽组,使II柱的漏磁通通过横向的磁屏蔽与两侧I柱、III柱各一半的漏磁相平衡,并避开中间II柱的中部高压出线;在I柱及III柱外侧对应的箱壁上垂直布置第2磁屏蔽组,用于流通I柱及III柱不能与II柱相平衡的漏磁通。本发明充分吸取了横向布置和垂直布置的优点,避免了两种布置方式的缺点,充分利用三柱套线圈结构,中间柱漏磁通分布与另外两个柱漏磁通分布不同的特点,为解决单相、三柱套线圈的超高压、超大容量产品的漏磁控制并防止局部过热提供了有效途径。
搜索关键词: 一种 超大 容量 变压器 屏蔽 方法
【主权项】:
一种超大容量变压器的漏磁屏蔽方法,应用于单相五柱铁心、三柱套线圈结构的变压器中,其特征在于包括以下步骤:在I柱与II柱间及II柱与III柱间对应线圈上、下端部的箱壁上横向布置第1磁屏蔽组(4),使II柱的漏磁通通过横向的磁屏蔽与两侧I柱、III柱各一半的漏磁相平衡,并避开中间II柱的中部高压出线;在I柱及III柱外侧对应的箱壁上垂直布置第2磁屏蔽组(3),用于流通I柱及III柱不能与II柱相平衡的漏磁通。
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