[发明专利]一种用用后耐火材料合成SiC的方法无效

专利信息
申请号: 200810227825.1 申请日: 2008-11-28
公开(公告)号: CN101428800A 公开(公告)日: 2009-05-13
发明(设计)人: 赛音巴特尔;廖洪强;张梅;王习东;岳昌盛;余广炜;冯向鹏;李世青;周宇 申请(专利权)人: 首钢总公司
主分类号: C01B31/36 分类号: C01B31/36
代理公司: 北京华谊知识产权代理有限公司 代理人: 刘月娥
地址: 100041北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种用用后耐火材料合成SiC的方法,属于耐火材料的合成技术领域。工艺步骤为:按配方组配原料:原料配方按质量百分比计:用后硅砖:55~75%;活性炭或碳黑:25~45%;粉碎:将用后硅砖球磨机中混磨至粒径40~50μm;混料、成型;高温热处理:合成采用空气中埋碳控制得到还原气氛体系,温度升至1300℃~1600℃,保温1~8h。本方法可以制备出纯度较高的SiC材料,且工艺方法可控,充分利用了用后硅砖,为用后耐火材料的资源化综合利用提供了一项得力有效的措施,大幅度降低了产品的生产制造成本,提高产品附加值,并必将显著改善社会环境。
搜索关键词: 一种 用用 耐火材料 合成 sic 方法
【主权项】:
1、一种用用后耐火材料烧结合成SiC的方法,其特征在于,工艺步骤为:(1)按配方组配原料:原料配方按质量百分比计:用后硅砖:55~75%;活性碳或碳黑:25~45%;(2)粉碎:将用后硅砖球磨机中混磨至粒径40~50um;(3)混料、成型:将硅砖粉与活性碳/碳黑按比例混合,以羧甲基纤维素钠或聚乙烯醇为粘接剂,拌匀后以30~40MPa压力下成型:(4)高温合成:合成采用空气中埋碳控制得到还原气氛体系,温度升至1300℃~1600℃,保温1~8h。
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