[发明专利]薄膜太阳能电池的制备方法及薄膜太阳能电池无效
| 申请号: | 200810225927.X | 申请日: | 2008-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN101740658A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
| 发明(设计)人: | 徐亚伟 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 赵镇勇 |
| 地址: | 100016 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池的制备方法及薄膜太阳能电池,首先在玻璃、塑料、不锈钢或陶瓷等衬底材料上通过制绒或固定绒面形模具的方法形成陷光结构;然后在陷光结构上依次制备透明前电极、吸收层、背电极等。去掉了TCO膜的制绒步骤,能够有效避免TCO制绒工艺的复杂性,降低工艺复杂度以及生产成本,有利于实现薄膜太阳能电池的低成本、工业化生产。可以用于制备硅基薄膜太阳能电池、碲化镉薄膜太阳能电池或铜铟镓锡薄膜太阳能电池等。 | ||
| 搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括步骤:首先,在衬底材料上制备陷光结构;然后,在所述陷光结构上依次制备透明前电极、吸收层、背电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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