[发明专利]焊盘及其形成方法无效
| 申请号： | 200810225757.5 | 申请日： | 2008-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101740423A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;沈满华;孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 董立闽;李丽 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种焊盘的形成方法，包括步骤：提供衬底，且所述衬底内包含下层导电结构，所述下层导电结构上具有介质层，所述介质层内形成了焊盘开口；在所述衬底上形成覆盖所述介质层及所述焊盘开口的导电层；在所述导电层上覆盖一层盖层；在所述盖层上定义焊盘图形；对所述盖层及导电层进行刻蚀，形成焊盘。本发明还公开了一种利用该形成方法形成的焊盘。本发明的焊盘及其形成方法可以防止光刻胶对导电层的侵蚀，提高焊盘的形成质量。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种焊盘的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，且所述衬底内包含下层导电结构，所述下层导电结构上具有介质层，所述介质层内形成了焊盘开口；在所述衬底上形成覆盖所述介质层及所述焊盘开口的导电层；在所述导电层上覆盖一层盖层；在所述盖层上定义焊盘图形；对所述盖层及导电层进行刻蚀，形成焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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