[发明专利]高密度硅纳米晶薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200810224677.8 | 申请日： | 2008-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101414552A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 陈晨;贾锐;李维龙;朱晨昕;李昊峰;刘明;田继红;路程 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种高密度硅纳米晶薄膜的制备方法，包括在硅衬底上形成二氧化硅层；将一氧化硅作为靶材通过电子束蒸发法沉积至上述的二氧化硅层上，形成混合物薄膜层；向上述的混合物薄膜层中注入硅离子；以及将混合物薄膜层进行退火，形成高密度的硅纳米晶薄层。本发明通过电子束蒸发一氧化硅靶材配合离子注入法制备高密度硅纳米晶薄膜，具有工艺步骤简单、用途多、能与传统Si基CMOS工艺兼容的优点。采用本发明提供的方法制备的硅纳米晶面密度高达：1012cm-1量级，颗粒直径在5～8nm范围内。主要应用于硅基第三代太阳能电池芯片关键组件的制备、硅单电子器件、单电子存储器、硅纳米晶浮栅存储器的制备等方面，适合大规模生产的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高密度硅纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、在硅衬底上形成二氧化硅层；B、将一氧化硅作为靶材通过电子束蒸发法沉积至上述的二氧化硅层上，形成混合物薄膜层；C、向上述的混合物薄膜层中注入硅离子；以及D、将步骤C的混合物薄膜层进行退火，形成高密度的硅纳米晶薄层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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