[发明专利]闪存及其制造方法无效
| 申请号： | 200810215629.2 | 申请日： | 2008-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101383354A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 朴圣根 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/06;H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种闪存及其制造方法，该闪存包括：形成在衬底中的浅沟槽隔离和有源区，形成在有源区上和/或上方的多个层叠栅，在层叠栅之间的浅沟槽隔离和有源区的下部形成的深注入区，以及在层叠栅之间的有源区的表面形成的浅注入区。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种闪存，包括:浅沟槽隔离和有源区，形成在衬底中；多个层叠栅，形成在所述有源区上；深注入区，形成在所述层叠栅之间的所述浅沟槽隔离和所述有源区的下侧；以及浅注入区，形成在所述层叠栅之间的所述有源区的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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