[发明专利]共模扼流圈及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810215356.1 申请日: 2008-09-05
公开(公告)号: CN101441922A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: 伊藤知一;西川朋永 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01F17/00 分类号: H01F17/00;H01F27/32;H01F27/29
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李 辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及共模扼流圈及其制造方法。该共模扼流圈包括形成在树脂绝缘层上的两个引出导体,并且在该树脂绝缘层中的覆盖有这两个引出导体中的一个引出导体的第一部分与覆盖有另一个引出导体的第二部分之间的区域中形成有一凹部。上树脂绝缘层嵌入该凹部内。因此,由于树脂绝缘层在形成有引出导体的部分中是不平坦的,所以这两个引出导体之间沿该树脂绝缘层的表面的距离增大。因此,很难形成因沿该绝缘层的表面的离子迁移而生成的电流路径,由此,即使这两个引出导体之间的距离变短,也能够获得高耐压。
搜索关键词: 共模扼流圈 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种共模扼流圈,该共模扼流圈包括:第一端电极和第二端电极;包括至少第一绝缘层到第三绝缘层的多个层压绝缘层;形成在第一绝缘层上的第一螺旋导体;形成在第二绝缘层上的第二螺旋导体;第一引出导体,其形成在第三绝缘层上,用于将第一螺旋导体的内周端连接至第一端电极;以及第二引出导体,其形成在第三绝缘层上,用于将第二螺旋导体的内周端连接至第二端电极,其中,第三绝缘层在覆盖有第一引出导体的第一部分与覆盖有第二引出导体的第二部分之间设置有一凹部,并且该凹部嵌入有与第三绝缘层不同的另一绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810215356.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top