[发明专利]半导体器件及其制造方法和具有该半导体器件的倒装芯片封装及其制造方法有效
| 申请号： | 200810214924.6 | 申请日： | 2008-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101378039A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 李世永;陈裕承;朴建禹 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/485;H01L21/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘光明;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法和具有该半导体器件的倒装芯片封装及其制造方法。一种半导体器件可包括半导体芯片、保护层图形、凸块下金属(UBM)层和导电凸块。半导体芯片可包括焊盘和保护环。保护层图形可形成在半导体芯片上以暴露焊盘和保护环。UBM层可形成在保护层上并可直接与焊盘和保护环接触。导电凸块可形成在UBM层在焊盘上的一部分上。因此，UBM层和保护环可以直接彼此接触，从而不管UBM层的不同部分的厚度差，均匀的电流可以提供到焊盘上的UBM层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 具有 倒装 芯片 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：包括焊盘和保护环的半导体芯片；在所述半导体芯片上形成的保护层图形，其暴露焊盘和保护环；在所述保护层图形上形成的凸块下金属(UBM)层，所述UBM层与所述焊盘和所述保护环直接接触；以及在所述焊盘之上的所述UBM层上形成的导电凸块。
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