[发明专利]在半导体元件上制造金属硅化物层的方法无效
| 申请号： | 200810214751.8 | 申请日： | 2008-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101345211A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李荣镇;金栢满;金秀贤;郑东河;金鼎泰;全萤卓;李根雨;金根俊;朴台容 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司;汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在半导体元件中制造金属硅化物层。通过PVD在形成有具有接触孔的层间介质的硅衬底上沉积第一金属层。通过CVD和ALD中的任一种在所述第一金属层上沉积第二金属层。对形成有所述第一和第二金属层的硅衬底进行退火，以形成金属硅化物。去除退火过程中所述第二金属层和第一金属层未反应的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 金属硅 化物层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体元件上制造金属硅化物层的方法，所述方法包括下列步骤：使用物理气相沉积(PVD)在硅衬底上沉积第一金属层，所述硅衬底具有带有接触孔的层间介质；使用化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)在所述第一金属层上沉积第二金属层；对所述第二金属层和所述第一金属层进行退火以形成所述金属硅化物层；和去除所述第一和第二金属层在所述退火步骤中未形成为所述金属硅化物层的部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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