[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200810213821.8 | 申请日: | 2008-09-08 |
公开(公告)号: | CN101383363A | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
发明(设计)人: | 黄俊 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑小军;冯志云 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括第一衬底和在第一衬底上的图像感测器件。第一衬底包含互连件和读出电路。在互连件上形成图像感测器件。在图像感测器件上具有上电极,从而对图像感测器件的顶部施加反向偏压。本发明的图像传感器及其制造方法在增大填充因数的同时可减少暗电流和复位噪音,以及在增大填充因数的同时可减少电荷共享的发生,并且通过为光电二极管和读出电路之间的光电荷提供迅速移动路径,可最小化暗电流源并抑制饱和度和敏感度的降低。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种图像传感器,包括:第一衬底,包含互连件和读出电路;图像感测器件,位于所述互连件上;和上电极,位于所述图像感测器件上,连接为使得在复位操作期间反向偏压施加到所述图像感测器件的顶部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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