[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

实现在FEOL电平的正负低电压的范围从扩散工序中的充电增强保护被保护元件，且，扩散工序结束后在被保护元件上能够施加驱动被保护元件所必须的正负两极性高电压的半导体装置。半导体装置，包括：具有被保护元件电极(22)的被保护元件(21)、具有与半导体衬底(11)电连接的衬底连接电极(42)的衬底连接部(41)、具有形成在被保护元件电极(22)和衬底连接电极(42)之间的保险膜(32)的保险构造(31)。保险膜(32)，形成为能够被切断，在没有切断保险膜(32)的状态下，被保护元件电极(22)、衬底连接电极(42)、及保险元件电极(32)由一体形成的导电膜(15)形成。

主权项

1. 一种半导体装置，其特征在于：包括：形成在半导体衬底上的，具有被保护元件电极的被保护元件，具有与上述半导体衬底电连接的衬底连接电极的衬底连接部，形成在上述被保护元件电极和上述衬底连接电极之间的，具有流过所规定的电流而能被切断的保险膜的保险构造，另外上述被保护元件电极、衬底连接电极、及保险膜，在上述保险膜没有被切断的状态下，由一体形成的导电膜构成。