[发明专利]倒置变质多结太阳能电池中的障壁层有效
| 申请号： | 200810211416.2 | 申请日： | 2008-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101399298A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 阿瑟·科恩费尔德;马克·A·斯坦;坦森·瓦格赫塞;弗雷德·纽曼 | 申请（专利权）人： | 昂科公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/042;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孟 锐 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成包括上部子电池、中部子电池和下部子电池的多结太阳能电池的方法，所述方法包括：提供第一衬底，其用于半导体材料的外延生长；在所述衬底上形成第一太阳能子电池，其具有第一带隙；在所述第一太阳能子电池上方形成第二太阳能子电池，其具有小于所述第一带隙的第二带隙；在所述第二子电池上方形成障壁层，以减少穿透位错；在所述障壁层上方形成分级夹层，所述分级夹层具有大于所述第二带隙的第三带隙；以及在所述分级夹层上方形成第三太阳能子电池，其具有小于所述第二带隙的第四带隙，使得所述第三子电池相对于所述第二子电池而晶格失配。 | ||
| 搜索关键词： | 倒置 变质 太阳能电池 中的 障壁层 | ||
【主权项】：
1. 一种形成包含上部子电池、中部子电池和下部子电池的多结太阳能电池的方法，所述方法包含：提供第一衬底，其用于半导体材料的外延生长；在所述衬底上形成第一太阳能子电池，其具有第一带隙；在所述第一太阳能子电池上方形成第二太阳能子电池，其具有小于所述第一带隙的第二带隙；在所述第二子电池上方形成障壁层；在所述障壁层上方形成分级夹层，所述分级夹层具有大于所述第二带隙的第三带隙；以及在所述分级夹层上方形成第三太阳能子电池，其具有小于所述第二带隙的第四带隙，使得所述第三子电池相对于所述第二子电池而晶格失配。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
