[发明专利]形成高电容二极管的方法及其结构

摘要

本发明公开了形成高电容二极管的方法及其结构。在一个实施方案中，在相反传导类型的半导体区域内形成高掺杂半导体沟道，以增加器件的电容。

主权项

1. 一种高电容二极管，包括：第一传导类型的半导体基底，所述半导体基底具有第一掺杂浓度以及第一表面和第二表面；所述第一传导类型的第一区域，所述第一区域与所述半导体基底的所述第一表面邻近，所述第一区域具有第一掺杂浓度；第二传导类型的半导体层，所述半导体层与所述第一区域邻近并覆盖所述半导体基底，所述半导体层具有小于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，并且还具有与所述第一区域相对的第一表面；掺杂区，其在所述半导体层的所述第一表面上，近似地具有所述第一掺杂浓度；以及第二传导类型的多个半导体沟道，所述多个半导体沟道从掺杂区穿过所述半导体层延伸，并进入所述半导体基底中，所述多个半导体沟道近似地具有所述第一掺杂浓度。