[发明专利]阻挡层的形成方法有效
| 申请号： | 200810208067.9 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101764083A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阻挡层的形成方法，包括：提供半导体基片，所述半导体基片上具有介质层和所述介质层内的开口；在包括所述开口内的介质层上形成阻挡层；采用等离子体刻蚀所述开口内的阻挡层以减薄或去除开口底部的阻挡层；所述等离子体刻蚀包括交替进行的第一刻蚀和第二刻蚀，所述第一刻蚀与第二刻蚀的区别在于：所述等离子体相对于所述半导体基片，在半导体基片直径方向的分布相反。采用所述方法能够改善等离子体刻蚀的均匀性，提高整个半导体基片上芯片的漏电流的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种阻挡层的形成方法，包括：提供半导体基片，所述半导体基片上具有介质层和所述介质层内的开口；在包括所述开口内的介质层上形成阻挡层；采用等离子体刻蚀所述开口内的阻挡层以减薄或去除开口底部的阻挡层；其特征在于，所述等离子体刻蚀包括交替进行的第一刻蚀和第二刻蚀，所述第一刻蚀与第二刻蚀的区别在于：所述等离子体相对于所述半导体基片，在半导体基片直径方向的分布相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
