[发明专利]多结砷化镓太阳电池无效
| 申请号： | 200810207796.2 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101764165A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王亮兴;陈鸣波;张玮;李红波;池卫英;余甜甜;张梦炎;陆剑锋 | 申请（专利权）人： | 上海空间电源研究所;上海太阳能工程技术研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多结砷化镓太阳电池，它包括主要由GaInP构成的顶电池、主要由InGaAs构成的中电池和主要由Ge构成的底电池，在顶电池和中电池之间设有AlInP(p+)/AlGaAs(p++)-GaInP(n++)/AlInP(n+)或AlGaInP(p+)/AlGaAs(p++)-GaInP(n++)/AlInP(n+)隧穿结连接结构。本发明的多结砷化镓太阳电池由于采用了以上隧穿结连接结构，不仅能够显著减少入射光的反射，改善中电池的电流密度，还可以提高三结电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 多结砷化镓 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种多结砷化镓太阳电池，包括主要由GaInP构成的顶电池、主要由InGaAs构成的中电池和主要由Ge构成的底电池，在顶电池和中电池以及中电池与底电池之间分别设有隧穿结连接结构，其特征在于：所述的顶电池和中电池之间的隧穿结连接结构为AlInP(p+)/AlGaAs(p++)-GaInP(n++)/AlInP(n+)，其中AlInP(p+)为顶电池的背场，厚度为100nm～150nm；AlInP(n+)为中电池的背场，厚度为100nm～150nm；AlGaAs(p++)的厚度为10nm～15nm；GaInP(n++)的厚度为10nm～15nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
