[发明专利]掩膜只读存储器的制造方法

摘要

本发明揭露了一种掩膜只读存储器的制造方法，利用未经掺杂的栅极物质层来构造栅极，从而使得该工艺流程与标准的CMOS工艺兼容，避免了前期掺杂好栅极物质层所带来的逻辑工艺不兼容问题。同时，利用ON-NO两步侧墙法，即在形成底氧化硅层与第一氮化硅层后，插入存储单元区栅极阵列介质层填充工艺，而后再形成第二氮化硅层与顶氧化硅层。这样，起初形成了相对较薄的ON层，扩大了介质层沉积的工艺空间，有利于半导体存储器的集成度的进一步提高；且在后续刻蚀中，在第二氮化硅层的保护下，栅极阵列之间介质层的损失会有所减少，以在栅极掺杂过程中有效抑制掺杂离子的穿透，减小存储单元间漏电流产生的几率。

主权项

1. 一种掩膜只读存储器的制造方法，其特征是，包括：提供具有存储单元区和外围电路区的半导体衬底；在半导体衬底上形成未经掺杂的栅极物质层；刻蚀栅极物质层，分别于存储单元区和外围电路区形成栅极阵列和逻辑晶体管栅极；依次沉积第一氧化硅层与第一氮化硅层；在存储单元区的栅极阵列之间填充介质层；沉积第二氮化硅层；沉积第二氧化硅层；进行氧化硅和氮化硅的刻蚀，在外围电路区形成栅极侧墙，并去除存储单元区的第二氧化硅层、第二氮化硅层和栅极阵列上的第一氮化硅层；对存储单元区的栅极阵列进行栅极掺杂。