[发明专利]片上离子射流装置有效

专利信息
申请号: 200810201600.9 申请日: 2008-10-23
公开(公告)号: CN101381006A 公开(公告)日: 2009-03-11
发明(设计)人: 侯中宇;蔡炳初 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: B64G1/40 分类号: B64G1/40;H01L23/34
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种航空航天技术领域和微电子技术领域的片上离子射流装置,包括单级加速电极,所述加速电极由镂空电极、极化电极阵列、流道侧壁、极化电极阵列连线、镂空电极连线五个部分组成,五个部分全部设置于基片表面之上,该结构由片上大长径比电极阵列作为气体分子电离装置,由片上薄壁结构作为流压控制装置并构建流道,由镂空电极作为离子射流方向和加速幅度的控制装置并可组成多级累积加速的连续式多级镂空电极。整个结构可完全由微电子加工技术所具有的片上化制造技术加工实现,因此非常利于阵列化、集成化、微型化,可大幅度提高电离效率、稳定性、工作寿命等核心性能指标,并非常适用于在微型飞行器、芯片冷却装置中使用。
搜索关键词: 离子 射流 装置
【主权项】:
1. 一种片上离子射流装置,其特征在于,包括单级加速电极,所述加速电极由镂空电极、极化电极阵列、流道侧壁、极化电极阵列连线、镂空电极连线五个部分组成,五个部分全部设置于基片表面之上,其中:极化电极阵列包括数量大于二的多个分立的平面极化电极组成,每两个平面极化电极之间,存在气体间隙使其相互隔离,其中每一个分立的平面极化电极的电极材料,是导体性或者半导体性的、长径比大于10的大长径比电极材料,电极材料具有带状、针状、管状或者条状的形状特征,其长度方向平行于基片;流道侧壁位于极化电极阵列的两侧,设置于基片之上,流道侧壁必须与极化电极阵列和镂空电极相互绝缘;极化电极阵列连线与极化电极阵列中每个平面极化电极的一端相连,使得每个平面极化电极的电极材料可以通过极化电极阵列连线与外部电路实现电连接,极化电极阵列连线与镂空电极和流道侧壁不接触;镂空电极设置于极化电极阵列的一端,这一端没有与极化电极阵列连线相互连接,且镂空电极与极化电极阵列的末端之间存在气体间隙;镂空电极具有薄壁特征,镂空电极垂直于基片表面的薄壁平面与极化电极阵列中电极材料的长度方向相互垂直,当极化电极阵列末端邻近的气体间隙中发生气体电离,荷电的气流能够部分地通过镂空电极的镂空部分,镂空电极与流道侧壁相互绝缘;镂空电极连线使得镂空电极与外电路实现电连接。
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