[发明专利]超疏金属熔体的Si3N4-BN多孔陶瓷及其制备方法和用途无效
| 申请号： | 200810200912.8 | 申请日： | 2008-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101456739A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 刘吉轩;张国军;袁波;阚艳梅;王佩玲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/583 | 分类号： | C04B35/583;C04B35/584 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及超疏金属熔体的Si3N4/BN多孔陶瓷及其制备方法和用途，属于多孔陶瓷陶瓷领域。本发明的Si3N4/BN多孔陶瓷，其孔隙率为30～70vol％，孔径分布在亚微米至纳米尺度之内，孔内生长有Si3N4一维纳米结构。该陶瓷在1100-1300℃的高温下，不与熔融的Cu、Ag、Au润湿，润湿角均高于150°，呈超疏液状态。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 si sub bn 多孔 陶瓷 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1、超疏金属熔体的Si3N4/BN多孔陶瓷，其特征在于Si、B摩尔比为86:14～42:58，孔隙率为10～70vol％，孔径分布在亚微米至纳米尺度之内，且其孔内生长有长度分布在1～5um之间、直径约为50～100nm的Si3N4一维纳米结构。
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