[发明专利]制造MOS晶体管的方法无效
| 申请号： | 200810190860.0 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101477968A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 金凤吉 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造晶体管的方法，可以包括：在硅衬底上方形成第一阱；在硅衬底上方形成第一掩模图案，并使用形成的第一掩模图案来形成第二阱；去除第一掩模图案；在硅衬底上方形成第二掩模图案，并使用形成的第二掩模图案来形成第一漂移区；去除第二掩模图案；形成第三掩模图案，并使用形成的第三掩模图案来形成第二漂移区；去除第三掩模图案；在硅衬底上方形成场氧化膜；以及通过沟道离子注入，将第一导电杂质离子注入到硅衬底的上表面中。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 mos 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种方法，包括：在硅衬底中形成第一阱；在所述硅衬底上方形成第一掩模图案；使用所述第一掩模图案作为掩模在所述硅衬底中形成第二阱；去除所述第一掩模图案；在所述硅衬底上方形成第二掩模图案；使用所述第二掩模图案作为掩模，在所述硅衬底中形成第一漂移区；去除所述第二掩模图案；在所述硅衬底上方形成第三掩模图案；使用所述第三掩模图案作为掩模，在所述硅衬底中形成第二漂移区；去除所述第三掩模图案；在所述硅衬底上方形成场氧化膜；以及通过实施沟道离子注入工艺，将第一导电杂质离子注入到所述硅衬底的上表面中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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