[发明专利]集成电路芯片及集成电路装置的制造方法有效
| 申请号: | 200810189537.1 | 申请日: | 2008-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN101630657A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
| 发明(设计)人: | 谢明昌;陈鸿霖;游秀美;蓝锦坤;李东隆 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/768;H01L27/02;H01L23/522;H01L23/00 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明提供一种集成电路芯片及集成电路装置的制造方法,上述集成电路芯片,包括一半导体基底,具有一切割侧壁,上述切割侧壁实质上垂直于上述半导体基底,且无金属内连线结构。上述集成电路芯片也包括一电路装置,形成于上述半导体基底之中以及一导电图案,形成于该半导体基底之中,且由上述切割侧壁露出,其中此导电图案包括至少一掺杂硅以及一金属硅化物。本发明的切割道之中,使用掺杂硅图案(扩散区域)作为内连线图案。也即,切割道之中不存在金属内连线,因此对于集成电路装置的整个可靠度、品质以及工艺效率能够有效地提升。 | ||
| 搜索关键词: | 集成电路 芯片 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路装置的制造方法,包括:在一半导体基底之中形成一第一集成电路图案以及一第二集成电路图案,该第一集成电路图案以及该第二集成电路图案通过一切割区域将彼此隔开;在该半导体基底之中的至少部分的该切割区域内形成一掺杂布线图案,用以连接该第一以及该第二集成电路图案;在该半导体基底上方形成一多层内连线结构以及一层间介电层,其中在该切割区域不形成该多层内连线结构;以及在该切割区域内蚀刻该层间介电层以及该半导体基底以形成一切割道沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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