[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200810186530.4 | 申请日: | 2008-12-25 |
公开(公告)号: | CN101471363A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 金钟满 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/522;H01L21/822;H01L21/768 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 朱 胜;王 萍 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了图像传感器及其制造方法。在图像传感器中,半导体基板具有由第一器件隔离层所限定的像素区和周边区。第一和第二光电二极管图案在像素区上形成,并且连接到下金属线以连接到第一和第二读出电路。第一光电二极管图案用作有效光电二极管,而第二光电二极管图案用作假像素。假像素可以测量泄漏电流。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种图像传感器,包括:半导体基板,其具有由第一器件隔离层所限定的像素区和周边区;第一和第二读出电路,其在所述像素区内;绝缘层,其包括在所述半导体基板上的第一、第二和第三下金属线以及焊盘,所述第一和第二下金属线分别电连接到所述第一和第二读出电路,并且所述第三下金属线在所述周边区内;第一和第二光电二极管图案,其在所述绝缘层上,并且在每个像素内由间隙区分离,所述第一和第二光电二极管图案分别电连接到所述第一和第二下金属线;第二器件隔离层,其在所述绝缘层以及所述第一和第二光电二极管图案上;上金属线,其在所述第二器件隔离层上,与所述第一光电二极管图案和所述第三下金属线相连接;焊盘孔,其在所述第二器件隔离层和所述绝缘层内,用以暴露所述焊盘;以及钝化层,其在所述绝缘层和所述上金属线之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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