[发明专利]金属-氧化物-金属电容结构

摘要

本发明提供一种金属-氧化物-金属电容结构。此电容结构包括：一介电层、一第一网状金属层以及一第二网状金属层。第一及第二网状金属层嵌入于介电层，且第二网状金属层平行堆叠于第一网状金属层上方。每一网状金属层具有排列成一阵列的多个开口。第一网状金属层中的网交点分别对应第二网状金属层中的开口，且第二网状金属层中的网交点分别对应于第一网状金属层中的开口。本发明所述的金属-氧化物-金属电容结构，可有效改善制程梯度变异及线性度，而进一步提升集成电路的效能。

主权项

1. 一种金属-氧化物-金属电容结构，其特征在于，包括：一介电层，设置于一基底上；一第一网状金属层，嵌入于该介电层的一第一层位，且具有排列成一阵列的多个第一开口；以及一第二网状金属层，嵌入于高于该介电层的该第一层位的一第二层位，且具有排列成一阵列的多个第二开口，其中该第一网状金属层中的多个第一网交点分别对应于所述第二开口，且该第二网状金属层中的多个第二网交点分别对应于所述第一开口。