[发明专利]等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和控制程序有效
| 申请号： | 200810186171.2 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101471257A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 田中谕志;大矢欣伸;山崎文生 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768;H01L21/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和控制程序，其能够形成具有20以上的高深宽比的贯通孔或孔形状，并且能够抑制保龄球形形状，能够获得良好的蚀刻形状。该等离子体蚀刻方法使至少包含C4F6气体和C6F6气体、且C4F6气体的流量相对于C6F6气体的流量的比(C4F6气体流量/C6F6气体流量)为2～11的处理气体等离子体化，以非结晶型碳层(105)作为掩模对氧化硅层(104)进行等离子体蚀刻，形成深度相对于开口宽度的比为20以上的孔形状(111)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 装置 控制程序 | ||
【主权项】：
1、一种等离子体蚀刻方法，其是通过蚀刻工艺在形成于基板上的绝缘膜层上形成深度对开口宽度的比为20以上的孔形状的等离子体蚀刻方法，该等离子体蚀刻方法的特征在于：使至少包含C4F6气体和C6F6气体、且C4F6气体的流量相对于C6F6气体的流量的比(C4F6气体流量/C6F6气体流量)为2～11的处理气体等离子体化，在所述绝缘膜层上形成所述孔形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
