[发明专利]一种存储器元件及其操作方法有效
| 申请号: | 200810185498.8 | 申请日: | 2008-12-16 |
| 公开(公告)号: | CN101577140A | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
| 发明(设计)人: | 施彦豪;陈介方;龙翔澜 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56;G11C16/02;G11C16/06 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
| 地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种存储器元件及其操作方法。存储单元包括第一电极及第二电极。存储单元还包括相变材料,其具有沿第一电极与第二电极之间的电极间电流路径串联排列的第一主动区域和第二主动区域。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 存储器 元件 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
1、一种存储器元件,其特征在于,包括:存储单元,包括第一电极、第二电极以及具有沿所述第一电极与所述第二电极之间的电极间电流路径串联排列的第一主动区域及第二主动区域的相变材料;驱动电路,适于施加驱动电压或电流至所述存储单元以储存位,所述驱动电压或电流包括:第一驱动电压或电流,适于通过在所述第一主动区域及所述第二主动区域内均产生高电阻条件而在所述存储单元内建立高电阻状态,以在所述存储单元内储存所述位的第一值,所述高电阻状态具有储存至少一所述主动区域处于所述高电阻条件的最小电阻,以及第二驱动电压或电流,适于通过在所述第一主动区域及所述第二主动区域内均产生低电阻条件而在所述存储单元内建立低电阻状态,以在所述存储单元内储存所述位的第二值,所述低电阻状态具有储存所述第一主动区域和所述第二主动区域均处于所述低电阻条件的最大电阻;以及感测电路,通过确定所述存储单元的电阻对应于所述低电阻状态或是对应于所述高电阻状态而感测所述存储单元中的所述位的值。
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